Advanced Materials·· 10 天前精选AI 评分67
逐步氰化喹喔啉基聚合物半导体实现低阈值电压n型OECT
High‐Performance Low Threshold Voltage n ‐Type OECTs via a Stepwise Cyanation of Quinoxaline‐Based Polymeric Semiconductor
AI 导读
研究者提出逐步氰化策略改性喹喔啉基聚合物半导体，在给体和受体单元上同时引入氰基的QxCN-CNTVT的LUMO能级达−4.23 eV。基于该材料的OECT获得最高168.89 F cm⁻¹ V⁻¹ s⁻¹的µC*值和0.13 V的低阈值电压，连续工作10,000 s及10,000次完整开关循环后仍保持约80%初始电流。该材料还被用于互补反相器放大眼电与心电信号，以及NAND、NOR逻辑门。
推荐理由
原文给出氰基取代使LUMO降至−4.23 eV并同时实现0.13 V阈值电压与168.89 F cm⁻¹ V⁻¹ s⁻¹的µC*，可看分子设计如何兼顾两者。
来源：Advanced Materials · doi.org