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单片三维堆叠碳纳米管/氧化铟锡互补晶体管实现高频逻辑与集成存储灵敏放大器

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AI 综述

研究团队采用后道兼容的p型碳纳米管与n型氧化铟锡沟道，构建了单片三维堆叠异质互补场效应晶体管（CFET）架构，缓解了双极输运失配与热退化问题。所得CFET反相器统计均匀性良好、转移特性对称，5级环形振荡器实现334 MHz频率与0.3 ns级延迟。基于该CFET的灵敏放大器与ITO基无电容2T0C DRAM单元集成，完成数据写入/读取与信号放大。

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最新进展10月20日 18:01

单片三维堆叠碳纳米管/氧化铟锡互补晶体管实现高频逻辑与集成存储的灵敏放大器

报道时间线

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10月20日

18:01
ACS Nano
单片三维堆叠碳纳米管/氧化铟锡互补晶体管实现高频逻辑与集成存储的灵敏放大器
采用后道兼容的p型碳纳米管与n型氧化铟锡沟道，构建了单片三维堆叠异质互补场效应晶体管架构，缓解了双极输运失配与热退化问题。所得CFET反相器统计均匀性良好、转移特性对称，5级环形振荡器实现334 MHz频率与0.3 ns级延迟。基于该CFET的灵敏放大器与ITO基无电容2T0C DRAM单元集成，完成数据写入/读取与信号放大。

本事件热度走势

可比范围当前: 3
可比范围峰值: 610月21日 14:00
近 24 小时变化: -50%

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