PyDI基三元半导体平面性调控提升电子迁移率
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PyDI基三元半导体平面性调控提升电子迁移率
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AI 综述
《Chinese Journal of Chemistry》论文作者设计并合成了四种以4,5,9,10-芘二酰亚胺（PyDI）为核心、萘并[2,3-b]噻吩二酰亚胺（NTI）为端基的三元分子（PyDI-BNTI、PyDI-BMd-BNTI、PyDI-BPz-BNTI、PyDI-BBTz-BNTI），通过选择端基与引入不同π桥调控分子平面性和分子轨道能级。 在溶液加工的底栅顶接触有机场效应晶体管（BGTC OFET）中，四种三元分子在环境条件下均表现出单极性电子传输。电子迁移率从扭曲构型PyDI-BNTI的6.4×10⁻⁴ cm²·V⁻¹·s⁻¹提升至全平面构型PyDI-BBTz-BNTI的0.10 cm²·V⁻¹·s⁻¹。
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最新进展10月13日 17:37
平面性调控的4,5,9,10-芘二酰亚胺基三单元将电子迁移率提升至0.10 cm²·V⁻¹·s⁻¹报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月13日
- Chinese Journal of Chemistry精选平面性调控的4,5,9,10-芘二酰亚胺基三单元将电子迁移率提升至0.10 cm²·V⁻¹·s⁻¹
研究设计并合成了四种以4,5,9,10-芘二酰亚胺（PyDI）为核心、萘并[2,3-b]噻吩二酰亚胺（NTI）为端基的三单元（PyDI-BNTI、PyDI-BMd-BNTI、PyDI-BPz-BNTI、PyDI-BBTz-BNTI），通过选择端基与引入不同π桥精确调控分子平面性和分子轨道能级。