邻位桥接多孔光催化剂提升C–N偶联产率

研究者用芳烃-全氟芳烃（AP）结构设计构建4CzIPN衍生的多孔光氧化还原聚合物，以邻、间、对位联苯桥连接咔唑与全氟咔唑单元，考察连接几何对局部静电和催化活性的影响。 在0.2 mmol反应规模、0.2 mg光催化剂条件下，邻位桥接的o-CBCP以较好产率得到Ni/光氧化还原C–N偶联产物，而无AP结构的对照P(4Cz)仅得痕量产物。KPFM测得o-CBCP、m-CBCP、p-CBCP和P(4Cz)的光致接触电势差位移分别为27.1、18.3、5.0和4.3 mV；在425 nm蓝光LED下，o-CBCP表面光电压响应更强，拟合中频电阻最低。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。