气相插层稳定MXene并制非范德华固体
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气相插层稳定MXene并制非范德华固体
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AI 综述
一项发表于《美国化学会志》的研究提出，用高蒸气压锌介导的气相化学插层策略，稳定MXene中Ti、Nb、V等具有不饱和d轨道的过渡金属，再让其在高温下与Al、Ga、In金属蒸气反应形成层间键合，得到一类超薄层状非范德华固体。 研究称，由此制得的非范德华Al–Ti3C2薄膜具备柔性、在空气中800 °C抗氧化和约10 000 S cm–1的电导率；在5 μm厚度下电磁屏蔽效能最高47.9 dB，并在500 °C下持续暴露48 h后仍保持红外隐身性能。
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最新进展10月12日 17:01
气相化学插层将 MXene 转化为柔性耐高温氧化的非范德华固体报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月12日
- Journal of the American Chemical Society精选气相化学插层将 MXene 转化为柔性耐高温氧化的非范德华固体
研究提出以高蒸气压锌介导的气相化学插层策略，稳定 MXene 中 Ti、Nb、V 等不饱和 d 轨道过渡金属，再与 Al、Ga、In 金属蒸气在高温下反应形成层间键合，得到一类超薄层状非范德华固体。