CsPbI3薄膜首次制成低阈值VCSEL
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CsPbI3薄膜首次制成低阈值VCSEL
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AI 综述
Advanced Science 论文作者称，他们首次用 CsPbI3 薄膜制成垂直腔面发射激光器（VCSEL）。器件以聚乙烯吡咯烷酮辅助相稳定的 CsPbI3 薄膜为增益层，经平面热压工艺与两个分布式布拉格反射镜构成垂直腔。 优化后的器件在 720.4 nm 实现光泵浦激射，阈值能量密度低至 2.8 µJ cm⁻²，作者称这一数值为纪录低值；器件在环境条件下也能稳定工作，作者将稳定性归因于 VCSEL 结构本身提供的封装。
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最新进展10月13日 13:00
基于 CsPbI3 薄膜的低阈值垂直腔面发射激光器报道时间线
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10月13日
- Advanced Science基于 CsPbI3 薄膜的低阈值垂直腔面发射激光器
采用聚乙烯吡咯烷酮辅助相稳定制备的 CsPbI3 薄膜，经平面热压工艺首次制成垂直腔面发射激光器（VCSEL），两个分布式布拉格反射镜构成垂直腔。优化器件在 720.4 nm 实现光泵浦激射，阈值能量密度低至 2.8 µJ cm⁻²，且环境条件下工作稳定。