手性分子使半金属薄膜磁化呈准垂直取向
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手性分子使半金属薄膜磁化呈准垂直取向
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AI 综述
ACS Nano 论文作者团队报告，在半金属铁磁体 La0.67Sr0.33MnO3 薄膜上覆盖手性分子层后，手性诱导自旋选择性（CISS）效应使磁化呈准垂直构型，这与常规铁磁体中磁化沿聚合物手性轴排列的行为不同。 作者称，这种准垂直取向来自热驱动的稳态：分子传输概率不同改变了畴壁能量景观。该结果揭示了无净电流下 CISS 效应的作用机制，并为半金属薄膜自旋电子器件的磁化调控提供依据。 作者同时指出，手性分子近邻效应诱导磁性这一现象，此前已在常规铁磁体薄膜上以薄至 1 nm 的分子层得到展示。
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最新进展10月22日 00:02
手性诱导自旋选择性在半金属 La0.67Sr0.33MnO3 薄膜中的表现报道时间线
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10月22日
- ACS Nano手性诱导自旋选择性在半金属 La0.67Sr0.33MnO3 薄膜中的表现
半金属铁磁体 La0.67Sr0.33MnO3 薄膜上的手性分子层诱导出准垂直磁化构型，与常规铁磁体中磁化沿聚合物手性轴排列的行为不同。该准垂直取向源于热驱动的稳态，不同分子传输概率改变了畴壁能量景观。结果揭示了无净电流下 CISS 效应的作用机制，并为半金属薄膜自旋电子器件的磁化调控提供依据。
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