碳纳米盒集流体调控锗薄膜负极性能
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碳纳米盒集流体调控锗薄膜负极性能
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AI 综述
研究人员将锗（Ge）薄膜负极沉积在预合成的空心碳纳米盒@铜（CB@Cu）集流体上，以同时调控界面、传质和力学性能。据该研究，CB中间层降低电子隧穿势垒并优化电流分布，中空多孔碳结构促进电解液渗透与锂离子扩散，内部空隙容纳Ge体积膨胀并维持SEI完整性。 Ge@CB电极的可逆容量超过1000 mAh g⁻¹，在10 A g⁻¹下仍表现出优异的倍率性能。上述结果来自发表于Small的这项研究。
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最新进展10月21日 13:45
功能碳纳米盒协同界面-传质-力学调控锗薄膜负极用于锂离子电池报道时间线
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10月21日
- Small功能碳纳米盒协同界面-传质-力学调控锗薄膜负极用于锂离子电池
将Ge薄膜负极沉积在预合成的空心碳纳米盒@Cu（CB@Cu）集流体上，实现界面-传质-力学协同调控。CB中间层降低电子隧穿势垒并优化电流分布，中空多孔碳结构促进电解液渗透与Li⁺扩散，内部空隙容纳Ge体积膨胀并维持SEI完整性。Ge@CB电极可逆容量超过1000 mAh g⁻¹，在10 A g⁻¹下仍具优异倍率性能。
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