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屏蔽效应控成核,COF薄膜可超1平方米制备

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AI 综述

Advanced Functional Materials 论文作者团队提出“屏蔽效应介导的成核控制”策略:用定制批次微狭缝反应器调节基底间距、聚合动力学与表面润湿性,使基底晶核周围的单体耗尽层重叠,从而完全抑制均相成核、只保留异相成膜。 作者称,该方法制得高结晶度 COF 薄膜,本征产率约 90%、颗粒污染极少,适用于 12 种 COF 结构,可制备面积超过 1 平方米的薄膜,成本为每平方米 6.0–27.5 美元。 作者还称,无杂质薄膜在 350–500 纳米有选择性吸收,呈现明显的波长依赖光致变色,可用于防伪与传感的高分辨率光学图案化。上述产率、面积、成本与性能均为论文作者所述,尚待独立验证。

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10月28日
  1. Advanced Functional Materials精选
    屏蔽效应调控成核实现大面积高质量 COF 薄膜生长

    研究提出屏蔽效应介导的成核控制策略,用定制批次微狭缝反应器调节基底间距、聚合动力学与表面润湿性,使单体耗尽层在基底晶核周围重叠,从而完全抑制均相成核、只保留异相成膜。

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