螺旋导电通路构建中空限域金属/氮碳吸波材料
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螺旋导电通路构建中空限域金属/氮碳吸波材料
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AI 综述
Advanced Functional Materials论文作者团队报告了一种在中空限域金属/氮碳界面引入螺旋导电通路的吸波材料。该团队采用支架引导的生长-重构-转化策略，让中空空间将螺旋CNC骨架与周围CoNi/N掺杂碳畴分离，以减少致密导电堆叠、利于微波进入，并由螺旋通路重连分散的金属/氮碳极化中心。 据该团队报告，在各自匹配厚度下，优化吸收剂的最小反射损耗为−54.80 dB，最大有效吸收带宽为6.29 GHz；在优化厚度下实现完整Ku波段与近完整X波段覆盖，模拟显示雷达散射降低。
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最新进展10月26日 14:50
螺旋导电通路桥接中空限域金属/N-C界面极化中心，构建相干电磁损耗网络报道时间线
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10月26日
- Advanced Functional Materials螺旋导电通路桥接中空限域金属/N-C界面极化中心，构建相干电磁损耗网络
采用支架引导的生长-重构-转化策略，在中空限域金属/N-C界面引入螺旋构型以延长曲折导电通路，并将空腔空间解耦与螺旋通路重连结合。中空空间将螺旋CNC骨架与周围CoNi/N掺杂碳畴分离，减少致密导电堆叠并利于微波进入，螺旋通路重连分散的金属/N-C极化中心。优化吸收剂最小反射损耗达−54.80 dB，最大有效吸收带宽6.29 GHz，在优化厚度下实现完整Ku波段与近完整X波段覆盖。
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