Advanced Materials·· 19 天前精选AI 评分65
用扫描微波阻抗显微镜成像有机晶体管中埋藏的接触电阻界面
Contact Resistance at Interfaces Buried Within Organic Transistors Imaged Using Scanning Microwave Impedance Microscopy
AI 导读
作者提出用扫描微波阻抗显微镜（sMIM）成像有机薄膜晶体管中埋藏的金属电极/有机界面，发现某些金属电极/有机体系中接触电阻在理论上应为欧姆注入时依然存在，并用紫外光电子能谱（UPS）确认这与远离有机半导体电离能的费米能级钉扎有关。
推荐理由
原文用 sMIM 直接成像有机晶体管中埋藏的金属电极/有机界面，并给出接触电阻与费米能级钉扎的对应关系。
来源：Advanced Materials · doi.org