水凝胶限域电解忆阻突触在 100 mV 下实现神经形态计算

研究报道了一种水凝胶限域的电解忆阻突触（EMS），利用可逆的 Ag/AgCl 界面电化学在仅 100 mV 下实现突触调制与储层状态编码。器件表现出依赖氯离子的忆阻迟滞，并模拟基本突触学习规则，其短期记忆与非线性被用于模拟储层计算框架，在手写数字分类中达到 95.05% 准确率，且在噪声与机械形变下保持良好性能。作者认为器件的可贴合性与电化学界面的设计灵活性为生物集成系统提供了新机会。